在IEDM 2024年夜会上，台积电揭开了其2nm工艺的奥秘面纱，具体先容了要害技巧细节跟机能指标：与3nm工艺比拟，晶体管密度晋升15%，在雷同功耗下机能进步15%，而在雷同机能下功耗下降24-35%。这是台积电初次采取全围绕栅极(GAA)纳米片晶体管，这一技巧有助于优化通道宽度，实现机能与能效的均衡。新工艺还引入了NanoFlex DTCO，这是一种计划技巧结合优化，可能开辟出更矮、能效更优或更高机能的单位。台积电2nm工艺还集成了第三代偶极子，包含N型跟P型，支撑六个电压阈值档(6-Vt)，范畴在200mV。这些改良使得N型跟P型纳米片晶体管的I/CV速率分辨晋升了70%跟110%。相较于传统的FinFET晶体管，新工艺的纳米片晶体管在0.5-0.6V的低电压下能效明显晋升，频率可进步约20%，待机功耗下降约75%。SRAM密度也创下了新高，到达每平方毫米约38Mb。台积电2nm工艺还采取了全新的MOL中段工艺跟BEOL后段工艺，电阻下降20%，进一步进步了能效。值得一提的是，第一层金属层(M1)当初能够经由过程一步蚀刻(1P1E)跟一次EVU曝光实现，年夜年夜简化了工艺庞杂度跟光罩数目。针对高机能盘算利用，台积电2nm工艺还引入了超高机能的SHP-MiM电容，每平方毫米的容量大概为200fF，以实现更高的运转频率。台积电表现，自28nm工艺以来，经由六代工艺的改良，单元面积的能效比曾经晋升了超越140倍！ 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->